SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고 올해 3분기 매출 9조662억 원, 영업손실 1조7920억 원(영업손실률 20%), 순손실 2조1847억 원(순손실률 24%)의 경영실적을 달성했다고 발표했다. SK하이닉스는 "고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 회사 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다"며 "특히 대표적인 AI용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이며 전분기 대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다"고 설명했다. 회사는 또 "무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다"고 강조했다. 매출 증가 추세에 대해 SK하이닉스는 D램과 낸드 모두 판매량이 늘어난 것은 물론, D램 평균판매가격(ASP, Average Selling Price) 상승이 큰 영향을 미쳤다고 분석했다. 제품별로 보면, D램은 AI 등 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났고, ASP 또한 약 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 SSD(Solid State Drive) 중심으
SK하이닉스가 26일 실적발표회를 열고, 올해 2분기 매출 7조3059억 원, 영업손실 2조8821억 원(영업손실률 39%), 순손실 2조9879억 원(순손실률 41%)의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. 회사는 “챗GPT를 중심으로 한 생성형 AI 시장이 확대되면서 AI 서버용 메모리 수요가 급증했다”며 “이에 따라 HBM3와 DDR5 등 프리미엄 제품 판매가 늘어나, 2분기 매출은 1분기 대비 44% 커지고, 영업손실은 15% 감소했다”고 설명했다. SK하이닉스에 따르면, 2분기에 D램과 낸드 판매량이 공히 늘었고, 특히 D램의 평균판매가격(ASP)이 전분기 대비 상승한 것이 매출 증가에 큰 영향을 미쳤다. PC, 스마트폰 시장이 약세를 이어가며 DDR4 등 일반 D램 가격은 하락세를 이어갔으나, AI 서버에 들어가는 높은 가격의 고사양 제품 판매가 늘어 D램 전체 ASP가 1분기보다 높아진 것이다. SK하이닉스는 전사적인 비용 절감 노력을 지속하는 가운데 재고평가손실이 감소하면서 영업손실폭을 줄일 수 있었다. SK하이닉스의 영업손실률은 지난 1분기 67%였으며, 2분기에 39%로 감소했다. SK하이닉스는 최근 메모리 업황에 대해 AI 메모리 수요 강세가 올
고객사 설계 및 검증 과정 최소화하는데 기여해 오픈엣지테크놀로지(이하 오픈엣지)가 아이신(AISIN) 주식회사(이하 아이신)와 고성능 차량 애플리케이션용 반도체를 위한 LPDDR5 메모리 표준을 지원하는 ORBIT DDR 메모리 컨트롤러 IP(OMCTM)와 ORBIT DDR PHY IP(OPHYTM) 라이선스 계약을 체결했다. 아이신은 도요타 그룹의 계열사로 일본의 대표적인 자동차 부품회사 중 하나다. 자동자 부품회사 중 세계 6번째 규모며, 변속기 제조업체로는 세계 1위다. 오픈엣지의 LPDDR5 OPHY와 OMC IP는 동시 사용 시 최고 데이터 전송 속도 6.4 Gbps를 제공해 우수한 PPA를 보여준다. 이에 오픈엣지의 통합 IP 솔루션은 고객사의 설계 및 검증 과정을 최소화하는데 기여한다. 차량용 SoC는 신뢰성과 안전을 위해 최고 수준의 DDR IP가 필요하다. 이번 계약은 아이신에서 시장에 출시된 IP에 대한 철저한 평가를 거쳐 성능과 서비스 품질에서 오픈엣지의 LPDDR5 IP를 선택해 체결됐다. 오픈엣지 이성현 대표는 "차량용 애플리케이션은 안전, 신뢰성 및 고성능 구현을 위해 높은 표준이 요구된다. 특히 일본 오토모티브 시장은 납품 기준이
실리콘마이터스(대표 허염)가 LPDDR5용 전력관리칩(PMIC)을 출시했다고 12일 밝혔다. SM582x 시리즈, 동작 상태에 따라 적절한 전압 실시간으로 공급 LPDDR5는 LPDDR4에 이은 차세대 저전력 메모리로 노트북, 태블릿, 스마트폰 등 다양한 휴대용 기기에 사용되는 고성능, 저전력 메모리다. LPDDR5는 전력 소모를 줄이기 위해 사용량에 따라 동작 속도를 조절하고 대기 상태의 전력 소모를 최소화하며 처리 속도를 향상시킨 것이 특징이다. LPDDR5용 전력관리칩(PMIC)은 LPDDR5에 들어가는 전력을 적합하게 변환, 배분 및 제어하는 역할을 한다. 실리콘마이터스가 개발한 전력반도체인 'SM582x 시리즈'는 동작 중에 전압을 높이거나 낮추고 동작 속도를 조절할 수 있어 동작 상태에 따라 적절한 전압을 실시간으로 공급한다. 특히 가장 낮은 출력 전압이 0.3V로 타사의 0.4V에 비해 더 낮은 전압을 사용해 사용량이 적을 때 전력을 최소화한다. 또한, 서버 용량에 따라 필요한 전류가 다른 점을 고려해 SM582x 시리즈를 통해 필요 전류에 따른 칩을 맞춤 공급할 계획이다. 현재 SM582x 시리즈는 1.5A, 3.0A, 4.5A를 지원한다. 실
헬로티 조상록 기자 | 삼성전자가 14나노 기반 차세대 모바일 D램 ‘LPDDR5X (Low Power Double Data Rate 5X)’를 업계최초로 개발했다. 이번 LPDDR5X는 한층 향상된 ‘속도·용량·절전’ 특성으로 5G, AI, 메타버스 등 폭발적으로 성장하고 있는 미래 첨단 산업에 최적화된 메모리 솔루션이다. 삼성전자는 2018년 세계 최초 8Gb LPDDR5 D램을 개발한 데 이어, 이번 업계최초 LPDDR5X 개발을 통해 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 더욱 공고히 했다. LPDDR5X의 동작 속도는 현존하는 모바일 D램 중 가장 빠른 최대 8.5Gbps로 이전 세대 제품인 LPDDR5의 동작속도 6.4Gbps 대비 1.3배 빠르다. 또한 삼성전자는 이번 제품에 업계 최선단 14나노 공정을 적용해 용량과 소비전력 효율에서 차별화된 경쟁력을 구현했다. 이번 제품은 선단 공정 적용을 통해 기존 LPDDR5 대비 소비전력 효율이 약 20% 개선됐다. 삼성전자는 이번 LPDDR5X의 단일칩 용량을 16Gb으로 개발하고 모바일 D램 단일 패키지 용량을 최대 64GB까지 확대해 5G 시대 고용량 D램 수요에 적극 대응할 계획이다. 삼성전자 메모리
헬로티 이동재 기자 | 키사이트테크놀로지스가 설계 시간을 단축시키고 DDR5, LPDDR5, GDDR6 메모리 시스템 제품 개발 시 리스크를 없애 주는 워크플로우 솔루션 ‘PathWave 고급 설계 시스템(ADS) 2022’를 발표했다. 클라우드 컴퓨팅부터 자율주행 차량까지 더 빠른 메모리 인터페이스에 대한 요구는 점점 증가하고 있다. DDR5, LPDDR5 및 GDDR6과 같은 고속 인터페이스의 획기적인 기술은 메모리 칩의 수신기에서 이퀄라이제이션을 수행한다는 특징이 있다. 인쇄 회로 보드(PCB)를 지나는 경로를 통해 저하된 신호를 복구하는데, 이때 하드웨어 엔지니어는 메모리 버스 설계에서 신호 무결성 문제 가능성을 최소화해야 하기 때문에, 이퀄라이제이션 후의 신호 품질을 예측하고 설계를 프로토타이핑하고 성능을 테스트해야 한다. 차세대 메모리를 위한 설계 및 테스트 워크플로우인 키사이트 PathWave ADS 2022는 하드웨어 엔지니어가 출시 요구사항을 충족하고 뛰어난 성능의 믿을 수 있는 최종 제품을 제공하도록 돕는다. PathWave ADS 2022의 Memory Designer는 먼저, 유연한 이퀄라이제이션과 외부 클럭 입력으로 DDR 송신기와 수
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